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PECVD系统
PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等点； PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到不错的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的烧结设备。 主要用途： 高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。 | |
技术参数： | |
炉体结构 | 双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温； 炉子底部装有一对滑轨，移动平稳 炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却 炉盖可开启，可以实时观察加热的物料 |
电源 | 电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
炉管 | 高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小 尺寸：Φ60*1250mm |
法兰及支撑 | SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空 一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷 可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑 包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合 |
加热系统 | 加热元件采用质合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用 加热区长度：270mm 恒温区长度：100mm 工作温度：≤1150℃ 额定温度：1200℃ 升温速率：10℃/min |
温控系统 | 温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能 30段升降温程序 测温元件：N型热电偶 恒温精度：±1℃ |
混气系统 | 四路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制 内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀 管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套 每路气体进气管路配有不锈钢针阀 通过控制面板上的旋钮来调节气体流量 流量规格：0~200sccm 流量精度：±1、5% |
高真空真空系统 | 采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4、0*10^-4Pa 复合真空计，配置电阻规+电离规 抽速：110L/S 冷却：风冷 电源:AC220V 50/60Hz |
射频电源系统 | 输出功率:0-300W 功率稳定度：±0.1% 射频电源频率:13、56MHz 稳定性±0.005% 额定反向功率:120W 射频电源电子输出端口:UHF 冷却:风冷 电源:AC187-253V 50/60Hz |
可选配件 | 混气系统,中、高真空系统，各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪。 |
