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双温区PECVD系统 TF-1200℃-II-PECVD/TF-1200℃-II-SL-PECVD
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特点及用途：
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点，工艺流程简单。
配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉，温度控制精度，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
1、与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2、使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3、设备特有的技术技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长
1、加热系统
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额定温度 |
1200℃ |
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使用温度 |
≤1100℃ |
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炉膛有效尺寸 |
Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
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炉膛材料 |
氧化铝、高温纤维制品 |
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热电偶类型 |
K型热电偶 |
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控温精度 |
±1℃ |
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控温方式 |
30段可编程控温，PID参数自整定 |
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加热长度 |
200+200mm |
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恒温长度 |
100+100mm |
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加热原件 |
电阻丝 |
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供电电源 |
单相，220V，50Hz |
2、预热系统系统
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额定温度 |
400℃ |
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炉膛有效尺寸 |
Φ50mm（炉管直径可根据实际需要定制） |
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炉膛材料 |
氧化铝、高温纤维制品 |
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热电偶类型 |
K型热电偶 |
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控温精度 |
±1℃ |
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控温方式 |
30段可编程控温，PID参数自整定 |
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加热长度 |
100mm |
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加热原件 |
电阻丝 |
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额定功率 |
800W |
3、PE系统
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功率输出范围 |
0W~500W |
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额定反射功率 |
100W |
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射频输出接口 |
50 Ω, N-type, female |
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功率稳定度 |
≤5W |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V）频率50/60HZ |
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整机效率 |
>=70% |
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功率因素 |
>=90% |
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冷却方式 |
强制风冷 |
4、三路质子流量控制系统
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连接头类型 |
双卡套不锈钢接头 |
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标准量程（N2) |
50sccm，100sccm、500sccm （可根据用户要求定制） |
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准确度 |
±1、5%F.S |
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线性 |
±1%F.S |
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重复精度 |
±0.2%F.S |
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响应时间 |
气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
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工作压差范围 |
0.1～0.5 MPa |
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额定压力 |
3MPa |
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接口 |
Φ6,1/4'' |
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显示 |
4位数字显示 |
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工作环境温度 |
5~45高纯气体 |
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压力真空表 |
－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
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截止阀 |
Φ6 |
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内外双抛不锈钢管 |
Φ6 |
5、低真空机组
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空气相对湿度 |
≤85% |
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工作环境 |
5℃～40℃ |
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工作电电压 |
280V |
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抽气速率 |
32m³/h |
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极限真空 |
5X10-1Pa（空载冷态） |
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工作压力范围 |
1、01325X105～1、33X10-2Pa |
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耐压值 |
0.03MPa |
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进气口口径 |
KF40 |
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排气口口径 |
KF40 |
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连接方式 |
采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连 |
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