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进口高真空CVD系统(TF-1700℃-CVD)
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进口高真空CVD系统(TF-1700℃-CVD)

厂家: 日期::2020-07-06 浏览次数:

  主要特点

  炉体采用硅钼棒加热额定温度可至1650℃,高真空系统采用分子泵机组,一键操作,简洁方便,无噪音,同时配高精度的质量流量计系统。通过标准配件连接,全部采用不锈钢材料,电抛光处理。其广泛应用于荧光粉材料,金属材料,磁性材料,半导体材料,陶瓷材料,电化学,薄膜材料,CVD,石墨烯,硅纳米管,纳米线,等研究领域。

  技术参数


加热区参数

炉管尺寸:Φ 60/80×1000mm(管径可选)

炉管材质:99高纯刚玉管

额定温度:1700℃

工作温度:1650℃

恒温精度:±1℃

温度均匀性:小于±5℃

升温速度:0-15℃/分钟自由设定

控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能
炉膛材料:高纯氧化铝多晶纯纤维,不参氧化铝粉,洁净节能。

加热区:300mm

恒温区:150mm

外型尺寸:610×440×720mm

标准配件:刚玉管1根,不锈钢密封法兰1套,氟胶密封圈2套,氧化铝管堵4只,高温手套1副,坩埚钩1支,小保险1个。

密封系统:炉管两端配有不锈钢密封法兰(包括精密针阀,指针式真空压力表和软管式宝塔嘴接头)

端口可按实际使用扩展。

备注:可选配1200℃、1400℃、1600℃、1500℃等不同温区的管式炉。

气路系统参数

质量流量计参考量程(N2):200sccm、500sccm、1000sccm(量程可选)

准确度:±1、5%

线性:±0.5~1、5%

重复精度:±0.2%

响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围:0.1~0.5 MPa

额定压力:3MPa

接口:Φ6,1/4''

显示:4位数字显示

工作环境温度:5~45高纯气体

内外双抛不锈钢管:Φ6

压力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止阀:Φ6

连接头类型:双卡套不锈钢接头。

备注:可选配一路、两路、三路、四路等以上质量流量计。

高真空系统参数

该系统由英国原装的前级无油泵,后级分子泵,真空传感器和电子控制系统和LED液晶显示组成,此系统是用来抽吸或压缩空气和其它无腐蚀性、不溶于水、不含有固体颗粒的气体,以便在封闭容器中形成真空和压力,吸入气体中允许混有少量液体。

分子泵组:Edward

干湿:完全无油的干式真空泵组

分子泵抽速:61L/s

前级泵抽速:1、2㎥/h

极限总压:10-7mabr

启动时间:1、5min

进气口:KF40

冷却方式:空冷

电压:单项,220V

重量:14、5Kg

功率:300W

泵体体积:250*356*357mm

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