主要特点

　　基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司开发出一种新的卷对卷连续快速生长石墨烯薄膜的方法，设计并研制了可达到中试水平的石墨烯卷对卷化学气相沉积系统，通过对石墨烯成核与生长的调控实现高品质石墨烯薄膜生长;此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉，它由高温生长炉体，三路质量流量计气路系统，真空机组，RF射频电源模块，石英管，冷却装置，收放铜箔的密封装置，自动化控制系统组成，两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放铜箔的密封装置)，收放铜箔的密封装置内分别对应安装有放卷滚轮和收卷滚轮，所输出料排气炉体与炉体之间安装有冷却装置。相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的点，可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。

　　技术参数

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