主要特点

　　这款配置的低真空CVD系统集1200度开启式真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成，可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、四温区、五温区、多温区)，可预抽真空(有高真空、低真空)，通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。真空泵可选用设备，性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

　　技术参数

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