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产品特点
与普通的CVD系统相比,因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温,实现快速退火。操控界面可配备液晶操作系统,图文显示,直观易懂,对于设备的使用操作简单易学该系统较高工作温度接近1150℃,能满足大多数热处理场合。该设备可具体用于:碳、ZnO纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验。
等离子发生器
输出功率:5~500W±1%.射频频率:13、56MHz±0.005%.反射功率:较大约200W阻抗匹配:自动
真空泵机组
双极旋片泵,极限真空0.1PaKFD25快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连.管内真空可达1Pa可选:本公司的防腐型数字式真空显示计,其测量范围为3、8x10-5至1125Torr.不需因测量气体种类不同而需要系数转换。(需要另外计算费用
质量流量计
三通道的质量流量计(精度0.02%):数字显示,自动控制.MFC1范围:0~100sccmMFC2和3:0~500sccm一个混气罐,底部装有泄废液口.进气接口:1/4NPS.出气接口:1/4NPS.
水冷系统
水冷法兰要求:水流量>=10L/M,配有专业水冷机组。
管式炉
炉管直径:80mm炉管长度:1400mm炉膛长度:440mm控温精度:±1℃工作温度:≦1200℃
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