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快速热处理退火炉简称RTP(RapidThermalProcessingFurnace),由我公司借鉴了国际先进制造工艺,在管式炉的基础上自主研发而成,不但拥有极快的升温速率100℃/S,而且降温速率也有了质的飞跃,降温速率100℃/S。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺,以至于达到如此快的降温速度。真正的极速升温和极速降温!
腔体采用了有双层石英管结构,外层管进气,内层管出气,使得反应气氛与加工样品充分而均匀地接触。
加热灯管之所以能够让硅片快速升温,是因为光源波长在0.3-4微米之间,石英管壁无法有效吸收这一波段的辐射,而晶片则正好相反。因此,晶片可以吸收辐射能量快速加热,而此时石英管壁仍维持低温,即所谓冷壁工艺。
应用领域:
Ø快速热退火(RTA);离子注入后退火
Ø石墨烯等气象沉积,碳纳米管等外延生长
Ø快速热氧化(,RTO);热氮化(RTN);
Ø硅化(Silicidation);
Ø扩散(Diffusion);
Ø离子注入后退火(ImplantAnnealing);
Ø电极合金化(ContactAlloying);
Ø晶向化和坚化(CrystallizationandDensification);
主要特点:
Ø极速升温100℃/S,极速降温100℃/S;
Ø双层炉管结构,气氛与样品接触更均匀;
Ø直接测量样品表面温度,测温更精准;
Ø炉膛根据设置可自动左右移动,可以满足更多的实验应用;
Ø真空度可达9、8×10-4Pa;技术参数:
主要技术指标 | 数据 |
常规型号 | RTP1100 |
极限温度 | 1200℃ |
额定温度 | 1100℃ |
控温精度 | ±1℃ |
温场均匀性 | ±2℃ |
蕞快升温速率 | 100℃/S |
蕞快降温速率 | 100℃/S |
操控系统 | 智能模糊控制 |
操作界面 | 7英寸触摸屏 |
加热方式 | 短波红外线加热 |
加热腔体结构 | 双层管 |
气体流动方式 | 外管进气,内管出气 |
扩充端口 | 可扩充真空测控和FFC供气 |
过载保护 | 电流过大自动切断主回路 |
超温保护 | 温度出现过高时切断主回路 |
传感器类型 | S型单铂铑 |
反应腔室尺寸 | Φ100*200mm |
式样有效空间 | 3、5英寸 |
传感器类型 | 9、8×10-4Pa |
抽气端口尺寸 | KF16(或Φ8mm宝塔嘴) |
供气口尺寸 | Φ6、35mm双卡套(或Φ8mm宝塔嘴) |
样品冷却方式 | 风冷 |
法兰冷却方式 | 水冷 |
额定功率 | 15KW |
额定电压 | AC380V,50Hz |
外形净尺寸 | 950*500*560 |
重量 | 约55KG |