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碳化硅炉膛Silicon carbide furnace
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碳化硅炉膛Silicon carbide furnace

厂家:碳化硅炉膛 日期::2020-09-10 浏览次数:

碳化硅炉膛Silicon carbide furnace

碳化硅炉膛是由炉墙包围起来供燃料燃烧的立体空间,可所以保温砖,浇注料,纤维棉或是其他耐火材料。耐高温远红外涂料是用于涂刷在各种耐火材料上的一种耐高温节能涂料。涂刷在高温窑炉膛、石油裂解炉、管道加热炉上的节能产品,可直接喷涂在各种高温窑炉的内衬耐火材料表面,或许蒸汽锅炉水冷壁管的表面,构成一层巩固的陶瓷管釉面硬壳,起到保护炉体、延伸炉龄、有用辐射炉膛内红外热能的效果。志盛威华远红外涂料能显着前进炉膛内的热传递效果,辐射率高,前进窑炉燃烧温度,降低排烟温度,前进燃烧温度,前进动力利用率,降低排烟温度。另外功用便是直接涂刷在高温吸热管道上,加快管道的吸热率,保护管道高温下不腐蚀氧化。

炉膛新式耐高温远红外节能涂料,具有科技含量高,节能长兴刚玉坩锅显着等特征。涂料由氧化物、碳化硅、纳米碳管、烧结剂和悬浮剂和志盛威华高温溶液等精加工而成,耐温可以抵达1800℃,红外波段辐射率ε>0.92,耐温1800℃,涂层热冲击才干:抗热震好,涂层不龟裂,不坠落,耐高 温氧化腐蚀性好,不污染环境、寄存期长、粘接性能好、运用寿数长,施工便当、操作简略,涂料涂层硬度抵达7H。

碳化硅炉膛马弗炉广泛应用于有腐蚀性气体等特殊工作环境。碳化硅炉膛具有耐高温,高强度,抗热震性好,耐腐蚀氧化,耐冲刷等点与陶瓷纤维结合使用,更突出器节能的效果。

碳化硅炉膛

碳化硅炉膛马弗炉技术参数

电炉名称

碳化硅炉膛马弗炉

  壳体结构

·采用双层壳体结构,使得壳体表面温度小于50度

·炉膛材料采用高纯氧化铝微晶纤维

   炉膛有效尺寸

  300*200*120mm(W*D*H)

  工作电源

  AC220V /50HZ zui大功率: 4KW

  工作温度

·≤1100℃

·额定温度:1400℃

  温控系统

·采用PID智能化30段可编程控制

·控温仪表操作视频

恒温精度:&±1℃

  升温速率

  20℃/min

  加热元件

 电阻丝

  炉门结构

  侧开式

  外型尺寸

  650×760×920mm

  设备重量

  110Kg

   

  标准配件

  门堵1块;坩埚钳1把;高温手套1付;热电偶1根;垫砖1块

  可选配件

  计算机控制软件、可移动炉架、各种规格氧化铝及石英坩埚、垫砖等

  质保期

一年质保期,相关耗材除外,如加热元件等易耗件

   

注意事项

·为了不影响仪器的使用寿命,我们建议zui大升温速率和降温速率为10℃/min

·此箱式炉没用真空密封结构,所以不可通入易燃易爆气体

·不建议通入腐蚀性气体,如果要通入强腐蚀性气体如Cl2,S化物,NH3,HF等,请提前告知,我们将对炉膛进行特殊处理

 

 

碳化硅由于化学功能安稳、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨功能好,除作磨料用外,还有许不粘铝浇注料多其他用处,例如:以特别工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可进步其耐磨性而延伸使用寿命1~2倍;用碳化硅炉膛以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能作用好。低等第碳化硅(含SiC约85%)是较好的脱氧剂,用它可加速炼钢速度,并便于操控化学成分,进步钢的质量。此外,碳化硅还很多用于制作电热元件硅碳棒。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9、5级,仅次于世界上蕞硬的金刚石(10级),具有秀的导热功能,是一种半导体,高温时能抗氧化。

碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为蕞常见的一种同质异晶物,在高于2000 °C高温下构成,具有六角晶系结晶结构(似纤维锌矿)。β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石类似,则在低于2000 °C生成,结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的使用上,因其具有比α型态更高之单位外表积而有目共睹,而另一种碳化硅,μ-碳化硅蕞为安稳,且磕碰时有较为动听的声响,但直至今天,这两种型态没有有商业上之使用。

因其3、2g/cm的比重及较高的提高温度(约2700 °C),碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能到达的压力下,它都不会熔化,且具有适当低的化学活性。由于其高热导性、高溃散电场强度及高额定电流密度,在半导体高功率元件的使用上,不少人试着用它来取代硅[1]。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高提高点,使其可实际使用于加热金属。

纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是由于其外表发生之二氧化硅保护层所致。

物质结构

纯碳化硅是无色通明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的品种和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝甚至黑色,通明度随其纯度不同而异。[2] 碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。

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