1200℃开启式管式炉PECVD系统
    
     
产品详情
    
    
       功能特点:
在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)
电炉用途:
PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的烧结设备。
适用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用
电炉参数
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		控温方式:采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序。
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		加热元件:0Cr27Al7Mo2
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		工作电源:AC220V 50Hz/60Hz
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		额定功率:4kw
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		炉管材质:高纯石英管
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		炉管尺寸:Phi;60/Phi;80*1200mm
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		工作温度:le;1150℃
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		额定温度:1200℃
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		恒温精度:±1℃
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		恒温区:200mm
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		升温速度:le;10℃/min
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		密封方式:不锈钢快速法兰挤压密封
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		极限真空:6、0×10-5Pa
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		工作真空:7、6×10-4Pa
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		电炉配置:双级旋片真空泵+分子泵
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		测量方式:复合真空计
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		真空规管:电阻规+电离规
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		冷却方式:风冷
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		抽速:110L/S
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		射频电源系统
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		射频功率输出范围:5~500W
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		射频频率:13、56MHz±0.005%
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		噪声:le;55DB
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		冷却方式:风冷
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		功率温定度:± 0.1%
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		混气系统流量规格:0-200sccm (可根据客户需要配置)
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		线性:±5、%F.S
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		准确度:±5、%F.S
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		重复精度:±0.2%F.S.
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		响应时间:le;8sec
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		耐压:3MPa
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		气路通道:4通道(根据客户需求)
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		针阀:316不锈钢
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		管道:Phi;6mm不锈钢管
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		接口:SwagelokPhi;6mm
1200℃开启式管式炉PECVD系统
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