PECVD石墨烯薄膜制备系统
- 别称：
- 类型：高温电炉系列
- 温度：
- 规格：
产品详情
PECVD石墨烯薄膜制备系统
该PECVD借助13、56MHz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空炉体内形成等离子体，利用等离子体的强化学活性，改善反应条件，使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。本设备可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种实验场所。
PECVD石墨烯薄膜制备系统技术参数
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多温区加热系统 |
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序号 |
功能名称 |
技术要求 |
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01 |
工作温度 |
室温～1200℃,长期工作温度≦1100℃ |
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02 |
加热区长度 |
三温区加热，各温区可立控温，恒温区长度为550 |
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03 |
控制模式 |
30段智能PID 多段程序控温 |
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04 |
控温精度 |
±1℃ |
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05 |
升温速率 |
0～20℃/min |
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06 |
测温元件 |
3支K型热电偶 |
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07 |
温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
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08 |
炉管 |
高纯石英管，能耐长期1100℃工作温度 |
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09 |
炉管尺寸 |
石英管外径100mm |
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10 |
炉膛结构 |
开启式 |
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11 |
炉膛材料 |
纤维，保温性能好，反射率高，温场均匀 |
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12 |
密封方式 |
真空不锈钢水冷法兰 |
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13 |
阀门 |
KF25挡板阀 |
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14 |
电源 |
380V/220V 50Hz |
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15 |
温度记录 |
可以实现温度曲线记录 |
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16 |
炉壳温度 |
≦45℃ |
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单温区加热系统 |
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序号 |
功能名称 |
技术要求 |
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01 |
工作温度 |
室温～1200℃,长期工作温度≦1100℃ |
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02 |
加热区长度 |
单温区加热，恒温区长度为200mm |
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03 |
控制模式 |
30段智能PID 多段程序控温 |
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04 |
控温精度 |
±1℃ |
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05 |
升温速率 |
0～20℃/min |
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06 |
测温元件 |
K型热电偶 |
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07 |
温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
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08 |
炉管 |
高纯石英管，能耐长期1100℃工作温度 |
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09 |
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