主要特点
1、广泛用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境;
2、该设备技术成熟、质量可靠,温场均匀,结构合理;
3、该设备广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域
技术参数
功率 |
20KW |
额定温度 |
1400℃ |
工作温度 |
1300℃ |
加热区尺寸 |
300+300+300mm |
加热区长度 |
900mm |
恒温区长度 |
500mm |
加热元件 |
(直棒)硅碳棒 |
控制方式 |
模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能 |
控温精度 |
±1℃ |
推荐升温速率 |
10℃/min |
炉管直径 |
Φ130mm |
设备结构方式 |
封闭式 |
推荐内容
NEWS