主要特点
本设备采用上下两个立红外加热体,用磨砂石英作为绝热和支架,配备样品测温点,可直接测试样品温度。可以通过调节上加热体来增加或缩短两个加热体间的距离,实现不同的可控温差范围。也可以通过石墨片阻挡热辐射的方式拉大蒸发源和乘积基体的温差,利用距离无限接近而产生巨大温差,在高真空下利用分子束缚后的活力跳动到基体表面,(分子活性较差的会被筛选)从而生长出各种高质量的薄膜。配备的异型石英样品架可以承载各种形态的基体。这是一种超纯净的薄膜生长方法。
技术参数
功率 |
8KW |
控温点 |
2点 |
样品测温点 |
1点 |
上下额定温差 |
600℃ |
上下距离调节范围 |
5-80mm |
额定温度 |
1100℃ |
蕞快升温速度 |
150℃/s |
额定真空度 |
5、0*10-3Pa |
气体流量范围 |
0-500sccm(质量流量计) |
额定样品装载尺寸 |
80*80mm |
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