混气管式PECVD系统

产品结构：
混气管式PECVD系统由单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成
PECVD设备是借助于光放电等方法产生等离子体，光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点，工艺流程简单。
软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品用途：
混气管式PECVD系统可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
产品参数：

• 常规型号：SGM1200PC-HQ
• 气路控制：浮子流量计/质量流量计
• 真空系统：旋片泵/扩散泵/分子泵
• 可选配件：水冷机/数显真空计
• 额定温度：1200℃(可定制)
• 工作温度：≤1100℃(可定制)
• 加热元件：合金加热丝
• 温控方式：智能化30段PID微电脑可编程控制
• 温控保护：具有超温及断偶报警功能
• 热电偶：K型
• 炉膛材质：高纯氧化铝多晶纤维
• 加热速率：0-20℃/分
• 恒温精度：&±1℃
• 均匀性：&±5℃
• 炉壳结构：双层壳体带风冷系统
• 额定功率：4Kw
• 极限真空：6、0×10-5Pa
• 工作真空：7、6×10-4Pa
• 供电电源：110-480V 50/60Hz
• 售后服务：12个月质保，终身保修(易损件除外)