石墨烯管式炉(石墨烯CVD炉)

产品结构：
由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，额定温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
SGM1200G管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用质氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等点。
软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品用途：
可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
产品参数：

• 常规型号：SGM1200PC
• 气路控制：浮子流量计/质量流量计
• 真空系统：旋片泵/扩散泵/分子泵
• 可选配件：水冷机/数显真空计
• 额定温度：1200℃(可定制)
• 工作温度：≤1100℃(可定制)
• 加热元件：合金加热丝
• 温控方式：智能化30段PID微电脑可编程控制
• 温控保护：具有超温及断偶报警功能
• 热电偶：K型
• 炉膛材质：高纯氧化铝多晶纤维
• 加热速率：0-20℃/分
• 恒温精度：&±1℃
• 极限真空：6、0×10-5Pa
• 工作真空：7、6×10-4Pa
• 均匀性：&±5℃
• 炉壳结构：双层壳体带风冷系统
• 额定功率：4Kw
• 供电电源：110-480V 50/60Hz
• 售后服务：12个月质保，终身保修(易损件除外)