这款坩埚电阻箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,炉...
1400℃立式管式炉采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风...
1200℃立式开启式管式炉采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间...
这款1600℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相...
这款1400℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相...
这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝(瑞典 Canthal A1)为加热元件,采用双层壳体结构和5...
这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝(瑞典 Canthal A1)为加热元件,采用双层壳体结构和3...
这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,...
这款1800℃气氛箱式炉以进口硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系...
这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,...
这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,...
这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,...
这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段...
这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移...
这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移...
这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移...
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012c...
这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发...
这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发...
真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用...