1200℃三温区管式炉 2020-04-16

这款管式炉以瑞典康泰尔进口电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉膛分为上下两个半..

1200℃双温区管式炉\1200双温区管式电阻炉 2020-04-26

1200℃双温区管式炉以瑞典康泰尔进口电阻丝为加热元件，双温区管式炉内置两个温区，可以营造不同的温度梯度；双温区控制系统采用PID方式控制，控温仪表中可以设置30段升降..

1200℃氢气管式炉 2020-04-16

这款1200℃氢气管式炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡..

1400℃Mini管式炉 2020-04-16

该SGM1400℃管式炉外观小巧，以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，过零触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不..

1400℃坩埚气氛炉 2020-04-16

这款坩埚气氛炉以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温..

1200℃坩埚气氛炉 2020-04-16

这款坩埚气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快..

1700℃八通道管式炉 2021-06-22

该SGM八通道单温区CVD系统由 8路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成！ CVD系统是在单温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为..

1600℃四通道管式炉 2020-04-16

该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成！ CVD系统是在单温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为..

1400℃四通道管式炉 2020-04-16

该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成！ CVD系统是在单温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为..

1200℃四通道管式炉 2020-04-16

该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成！ CVD系统是在单温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为..

1200℃三通道管式炉 2020-04-16

该SGM三通道单温区CVD系统由 3路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成！ CVD系统是在单温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为..

1200℃双通道管式炉 2020-04-16

该SGM双通道三温区CVD系统由2路供气系统+三双温区管式炉+抽气系统组成！CVD系统是在双温区管式炉，炉底(可选)配安装一对滑轨，可用手滑动。可以达到快速升降温的目的，为取..

多温区滑动管式炉 2020-04-16

多温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率蕞大可达100°C/min。为取得蕞快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动..

1800℃立式管式炉 2020-04-16

这款1800℃立式管式炉以进口硅钼棒为加热元件，1400℃式管式炉以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和智能化程序控温系统，可控硅控制，控温精度高；双层炉壳间配有风冷系..

1700℃滑动管式炉 2020-04-16

单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率蕞大可达100°C/min。为取得蕞快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动..

1700℃立式管式炉 2020-04-16

这款1700℃管式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统..

1600℃滑动管式炉 2020-04-16

单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率蕞大可达100°C/min。为取得蕞快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动..

1400℃滑动管式炉 2020-04-16

单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率蕞大可达100°C/min。为取得蕞快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动..

1600℃立式管式炉 2020-04-16

这款1600℃管式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统..

1700℃坩埚电阻炉 2020-04-16

这款坩埚电阻箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，60分钟内能达到13..