1400℃坩埚电阻炉 2020-04-16

这款坩埚电阻箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，60分钟内能达到13..

1400℃立式管式炉 2020-04-16

1400℃立式管式炉采用智能化程序控温系统，可控硅控制，控温精度高；双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温度；开启式炉盖设计，可在高温情况下观察物料反应情况并实..

1200℃立式管式炉 2020-04-16

1200℃立式开启式管式炉采用智能化程序控温系统，可控硅控制，控温精度高；双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温度；开启式炉盖设计，可在高温情况下观察物料反应情..

1600℃箱式氢气炉 2020-04-16

这款1600℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件，采用双层壳体结构和50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速..

1400℃箱式氢气炉 2020-04-16

这款1400℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件，采用双层壳体结构和50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速..

1200℃箱式氢气炉 2020-04-16

这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡..

1100℃箱式氢气炉 2020-04-16

这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡..

1100℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快..

1800℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款1800℃气氛箱式炉以进口硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风..

1700℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快..

1600℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快..

1400℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快..

1200℃箱式气氛炉 2020-04-16

这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有..

1700℃氢气管式炉 2020-04-16

这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度..

1600℃氢气管式炉 2020-04-16

这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度..

1400℃氢气管式炉 2020-04-16

这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度..

TS-PE 2020-04-16

PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反..

1700℃坩埚气氛炉 2020-04-16

这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温..

1600℃坩埚气氛炉 2020-04-16

这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温..

1400℃真空气氛炉 2020-04-16

真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程..