主要特点
此设备特点是将硫粉放于左端冷区,当硫化过程开始时利用拉杆式将硫粉推进热场。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作。同样也适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
技术参数
炉管尺寸: |
外径Φ25/50/60/80-100*1000mm(可选) |
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极限温度: |
1200℃ |
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工作温度: |
≤1100℃ |
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温度控制器: |
PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,30段可编程控制器 |
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升温速率: |
≤50℃/min |
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加热区: |
200+200mm |
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恒温区: |
100+100mm |
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控温精度: |
±1℃ |
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电源: |
单相220V,交流50Hz |
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3路质量流量供气系统 (触摸屏控制)
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额定电压: |
185~245V/50Hz |
额定输出功率: |
18W |
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流量计标准量程: |
100,200,500SCCM;(非特殊指定以氮气标定,量程可选定) |
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工作温度: |
5~45ºC |
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工作压差: |
0.1~0.5MPa |
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额定压力: |
3MPa |
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准确度: |
±1、5%FS |
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低真空系统
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抽速: |
8、11m³/h |
极限总压: |
3×10-3mabr |
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进排气口: |
DN25KF |
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噪音(气镇开关时,距离1米处测量): |
54dB |
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注油量: |
0.7-1、1L |
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重量: |
21Kg |
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工作温度: |
10~40℃ |
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功率: |
550W |
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