卷对卷连续化生长CVD设备RTR-III-80 2020-07-09

设备简介： 该设备为我司研发用于石墨烯薄膜连续生长或者线性材料的连续的专用设备，此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉，它由高温生长腔体，三路质量流量计气路系统..

石墨烯制备设备CVD：1200℃管式炉三路质子流量控制系统 2021-01-28

设备简介： 该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备，此款设备是快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉，它由高温生长腔体，质量流量计气路系统，真空机组，RF射..

卷对卷连续生长PECVD设备RTR-III-80-PE 2020-07-09

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液相蒸发仪 TF-350℃-UM 2020-07-09

设备特点 液相蒸发仪是一款气液混合加热设备，集控制系统与气液混合系统为一体。采用耐腐蚀不锈钢制作储液罐，并在罐顶部加有透明视窗，可以实时观测罐内液位;采用加热套..

前端气体预热装置 VTF-400℃ 2020-07-09

设备特点 VTF-400C迷你型前端气体预热装置，是针对实验室使用设计的一款微型盘管气体预热装置，体积只相当于笔记本大小，功率1KW，重量只有12Kg，这款设备通过盘管的方式..

真空中频感应熔炼纺丝设备 BMF-1800℃-D 2020-07-09

一、设备特点： 真空中频感应熔炼炉为立式炉壳型的真空感应电炉。专供特殊钢、高温合金、精密合金等在真空或保护气氛下进行熔炼和铸锭之用，亦可供小型零件的真空精密铸造..

低真空CVD系统 TF-1200℃-IV-4ZL 2020-07-09

主要特点 这款配置的低真空CVD系统集1200度开启式真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成，可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、四温区、五温区、多温区)，可预..

大面积CVD石墨烯生长设备 2020-07-09

设备尺寸 Φ300*2800mm 炉管尺寸 Φ300*3000mm 蕞大进料量 20Kg 加热元件 进口KTL电阻丝 加热区数量 3-8区(可根据需求定制) 额定温度 室温至1200℃，连续可调 ..

智能化PECVD系统PECVD-500A/Small intelligent type PECVD 2020-07-09

主要特点 我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统P..

单温区滑轨式PECVD系统 TF-1200℃-SL-PECVD 2020-07-09

产品型号： SGM TF-1200C-SL-PECVD 产品简介： 我公司新研制的PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定..

小型滑轨式PECVD系统TF-1200℃-S-SL-PECVD 2020-07-09

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辉光等效等离子气相沉积系统 PECVD 2020-07-09

细节展示 双层风扇散热装置 产品型号： SGM TF-1200C-PECVD 产品简介： 我公司新研制的PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解..

微型PECVD系统 2020-07-09

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前端预热双温区滑轨PECVD/TF-1200℃-II-SL-400℃-PECVD 2020-07-09

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卷对卷热压印-电化学快速鼓泡转移设备 2020-07-09

设备势： 卷对卷热压印-电化学快速鼓泡转移方法，避免了铜箔刻蚀的常规转移工艺，实现了石墨烯从铜箔生长基底直接向工业用PET柔性透明塑料基底的连续化无损转移，从而制备了..

大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备 2020-07-09

Stock roll Annealing zone Growth zone 主要特点 基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司开发出一种新的卷对卷连..

卷对卷薄膜石墨烯生长设备R-T-R、Roll-to-roll film graphene growth equipmen 2020-07-09

主要特点 基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司利用一种新型等离子增强卷对卷连续快速生长石墨烯薄膜的方法，设计并研..

等离子体增强卷对卷连续生长CVD系统 R-T-R/Plasma Enhanced Roll to Roll Chemic 2020-07-09

主要特点 Main feature Under the vacuum condition , a RF power supply acts on the rare gas in the vacuum chamber to form the plasma equivalent glow effect ( PECVD patent of our company ) , and the field energy of the plasma replaces the..

等离子体增强回转PECVD系统 TF-1200℃-R-PECVD/Plasma enhanced rotational 2020-07-09

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近距离可调化合物薄膜沉积系统CSS Close Spaced Sublimation 2020-07-09

主要特点 本设备采用上下两个独立红外加热体，用磨砂石英作为绝热和支架，配备样品测温点，可直接测试样品温度。可以通过调节上加热体来增加或缩短两个加热体间的距离，实..