镍泡沫基底石墨烯 Graphene on Nickel Foam 2020-07-09

石墨烯生长在镍泡沫上。按镍泡沫的结构生长。镍泡沫石墨烯用途广泛，可用于锂电池的电极材料大大提高电池容量，可制作传感器，可用于超级电容等等。 产品参数 规格 等级..

PET 2020-07-09

品名 双面硬化PET 尺寸 A4大小 厚度 250um 特性 PET白膜面硬度为3H， 绿膜面硬度为2H 价格 80元/片..

TF-1200℃-S-D 2020-07-09

产品特点 开启式迷你真空管式炉炉体小巧，升温速度极快，它不仅可以抽真空，也可以通气体保护。其结构使得更换炉管方便，操作简捷。炉管工件横穿于进口电阻丝的炉膛，温场..

TF-1200℃-VT-25 2020-07-09

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1700自动化进料隧道窑MF-1700℃-L 2020-07-09

主要特点 本公司研发生产的MF-1700C-L箱式炉系列用于在1600℃下热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用质U型硅钼棒加热，PID程序控温仪控制，温控仪可设定..

组合式多通道催化剂处理装置 ( TF-1200℃-6D) 2020-07-09

主要特点 此款设备由6台迷你型管式气氛炉组合而成，且相互独立控制，可同时进行平行试验，设备体积小，广泛适用于各大高校研究院使用。 1200℃开启式迷你真空管式炉炉体..

滑轨式CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-SL-CVD） 2020-07-09

设备特点 此款设备是专为生长石墨烯、碳纳米管研制的生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，温区可独立程序控制，设备操作时可将实验需要的恒定高温直..

1700度高温CVD系统 (高真空 低真空可选） 型号：TF-1700℃-CVD 2020-07-09

设备特点 此款1700℃高温CVD系统，是由1700度管式炉、三路质量流量计系统以及国产高真空系统(或选配低真空系统)所组成。此设备主要用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加..

1200℃双温区CVD系统（低真空、高真空）型号：TF-1200℃-II-CVD 2020-07-09

设备特点 此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，根据工艺要求亦可选配高真空系统。设备可以抽真空通气体保护。气动弹簧支撑结构使开启..

迷你型CVD系统（型号：TF-1200℃-S-CVD） 2020-07-09

加热区参数 炉管尺寸：外径Φ25/50*600mm (管径可选) 加热元件:电阻丝（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） 加热区长度：230mm 恒温区长度: 80mm 工作温度：1100℃ ..

进口高真空CVD系统（TF-1700℃-CVD） 2020-07-09

主要特点 炉体采用硅钼棒加热额定温度可至1650℃，高真空系统采用进口分子泵机组，一键操作，简洁方便，无噪音，同时配高精度的质量流量计系统。通过标准配件连接，全部采..

低真空CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-CVD） 2020-07-09

主要特点 该设备是由1200度开启式管式炉、精密的质量流量控制系和真空系统所组成。广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。 1.加热系统 额定温度 12..

二维材料制备CVD系统（型号：TF-1200℃-II-SL-CVD） 2020-07-09

设备特点 此款CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器，辅助二维材料蒸发，后端为双温区管式炉，温度控制精确，操作简便。并配质量流量计系统和真空系统，可以准确的反应..

前端预热式多温区CVD/TF-1200℃-400℃-CVD（前端加固态源） 2020-07-09

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小三温区滑轨CVD/TF-1200℃-III-S-SL-3ZL 2020-07-09

技术参数 SGM TF-1200C-III-S-SL-4ZL 尺寸 750×440×590mm ( 电炉)/2000×490×760mm ( 电炉+滑轨） 炉管尺寸 Ø50/Ø60/Ø80/Ø100*1850mm(各管径可选） 加热区长度 200+200+200mm(600mm) 恒温区长度 300mm 工作温度..

流化床—粉体碳纳米管生长设备 2020-07-09

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复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备 2020-07-09

主要特点 复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备，可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和复合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2..

高真空自动循环设备（型号：TF-1200℃-HV） 2020-07-09

主要特点 该款设备由我公司和中国科学院新疆理化技术研究所共同研制的高真空自动循环设备，内外双热电偶控制，内热电偶制动，使用者可以设定设备循环温度点，可根据内热电..

低真空CVD系统 (TF-1500℃-3ZL) 2020-07-09

设备特点 此款CVD系统是由多通道高精度的质量流量计、低真空机组以及1500度高温管式炉组成。其广 泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。 加..

大三温区滑轨CVD系统（低真空、高真空环境均可）TF-1200℃-III-SL-4ZL 2020-07-09

技术参数 SGM TF-1200C-III-SL-4ZL 尺寸 1080×440×590mm ( 电炉)/2000×490×760mm ( 电炉+滑轨） 炉管尺寸 Ø50/Ø60/Ø80/Ø100/Ø130*2330mm(各管径可选）..