三温区滑轨式快速升降温炉TF-1200℃-III-SL/Three zones sliding rapid heati 2020-07-06

主要特点Main features: 1) Used for big size graphene film growing with double tubes inside outside, also for CVD experiment with RTP requir..

1700℃快速取样小型滑轨炉TF-1700℃-SL 2020-07-06

主要特点 此款滑轨式高温管式炉广泛用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境. 该设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，尺寸小巧，节能。周到..

双独立温场滑轨炉 （可选配等离子体发生装置）TF-1200℃-II-SSL 2020-07-06

主要特点 SGM TF-1200C-II-SSL双独立温场滑动炉具有两个独立滑动和温度控制的温场。操作时可将实验需要的恒定的温场直接推到样品处，使样品能快速得到工艺温度，同样也可..

小型三温区滑轨炉TF-1200℃-III-S-SL 2020-07-06

主要特点 滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个..

液氮冷井淬火炉TF-1200℃-SSL 2020-07-06

主要特点 本液氮冷井是一款真空管路冷凝设备，专为冷凝真空系统中难以过虑的有机小分子物质。该设备可单独拆卸组装，采用标准接口连接。进气口与出气口设计为上下段差结构..

单端滑轨炉 TF-1500℃-RTP 2020-07-06

主要特点 1500℃单端滑轨式快速升降温炉不仅可以抽真空,也可以通气体保护。可用刚玉管和透明石英管两种，在使用石英管时(额定温度为1100度)承载样品的石英管可直接划出整..

双温区滑轨炉（TF-1200℃-II-SL） 2020-07-06

主要特点 滑轨式快速升温炉是专为生长石墨烯研制的石墨烯生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，这款设备是根据开启式真空管式炉改装而来的，操作时可..

TF-1200℃-AS 智能型1200℃滑轨炉 2020-07-06

主要特点 mall in size, lower power consumption 体积小，功耗低 With double air cooling structure, the tem. of shell is lower than 60℃ when..

连续进出料回转CVD生长设备 TF-1200℃-II-R-CVD 2020-07-06

1、主要特点 该设备炉管可360°旋转，有助于粉料的烧结更均匀，可大角度倾斜，方便进出料，倾斜角度在0-35°之间。 2、设备组成：加热系统，进料系统，出料系统，气体控..

双炉膛滑动CVD控制系统 TF-1200℃-II-SL-210 2020-07-06

主要特点： 1、滑轨式快速升温炉是专为生长石墨烯研制的石墨烯生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验。 2、这款设备操作时可将实验需要的恒定高温直接..

滑轨式CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-SL-CVD） 2020-07-06

设备特点 此款设备是专为生长石墨烯、碳纳米管研制的生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，温区可独立程序控制，设备操作时可将实验需要的恒定高温直..

1700度高温CVD系统 (高真空 低真空可选） 型号：TF-1700℃-CVD 2020-07-06

设备特点 此款1700℃高温CVD系统，是由1700度管式炉、三路质量流量计系统以及国产高真空系统(或选配低真空系统)所组成。此设备主要用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加..

1200℃双温区CVD系统（低真空、高真空）型号：TF-1200℃-II-CVD 2020-07-06

设备特点 此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，根据工艺要求亦可选配高真空系统。设备可以抽真空通气体保护。气动弹簧支撑结构使开启..

迷你型CVD系统（型号：TF-1200℃-S-CVD） 2020-07-06

加热区参数 炉管尺寸：外径Φ25/50*600mm (管径可选) 加热元件:电阻丝（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） 加热区长度：230mm 恒温区长度: 80mm 工作温度：1100℃ ..

进口高真空CVD系统（TF-1700℃-CVD） 2020-07-06

主要特点 炉体采用硅钼棒加热额定温度可至1650℃，高真空系统采用进口分子泵机组，一键操作，简洁方便，无噪音，同时配高精度的质量流量计系统。通过标准配件连接，全部采..

低真空CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-CVD） 2020-07-06

主要特点 该设备是由1200度开启式管式炉、精密的质量流量控制系和真空系统所组成。广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。 1.加热系统 额定温度 12..

二维材料制备CVD系统（型号：TF-1200℃-II-SL-CVD） 2020-07-06

设备特点 此款CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器，辅助二维材料蒸发，后端为双温区管式炉，温度控制精确，操作简便。并配质量流量计系统和真空系统，可以准确的反应..

前端预热式多温区CVD/TF-1200℃-400℃-CVD（前端加固态源） 2020-07-06

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小三温区滑轨CVD/TF-1200℃-III-S-SL-3ZL 2020-07-06

技术参数 SGM TF-1200C-III-S-SL-4ZL 尺寸 750×440×590mm ( 电炉)/2000×490×760mm ( 电炉+滑轨） 炉管尺寸 Ø50/Ø60/Ø80/Ø100*1850mm(各管径可选） 加热区长度 200+200+200mm(600mm) 恒温区长度 300mm 工作温度..

双独立温区滑轨炉CVD设备（可用于生长硫化钼）TF-1200℃-II-SSL-CVD 2020-07-06

主要特点 1.此款设备提供两个独立滑动的温场，两温场独立控制，每个温场的加热区的长度为230mm，可在实验过程中推进或推离样品，提供两个位置的快升降温。 2.纵向多接口..