单温区滑轨式PECVD系统 TF-1200℃-SL-PECVD 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域..

辉光等效等离子PECVD系统 TF-1200℃-PECVD 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领..

小型滑轨式PECVD系统TF-1200℃-S-SL-PECVD 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域..

微型PECVD系统TF-1200℃-S-PECVD 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域..

卷对卷连续生长PECVD设备RTR-III-150 2020-07-06

该设备为我司研发用于材料连续生长的专用设备，此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉，它由高温生长腔体，质量流量计气路系统，真空机组，压力控制系统，射频控制系统、..

迷你智能型等离子体可回转化学气相沉积系统（型号： TF-1200℃-R-S-PECVD） 2020-07-06

本款设备可以做金属复合石墨烯材料，是目前额定端的金属复合材料制备设备。可以用于动力电池，提升电池内阻和能量密度，有效解决新能源汽车电池的问题。 1.该设备炉管可36..

氢气炉系统 2020-07-06

技术参数： 1.额定温度：1700℃ 2.额定温度：1650℃ 3.加热区长度：760mm 4.恒温区长度：550mm 5.加热元件：硅钼棒 6.热电偶：B型 7.温控方式：智能化30段可编程控..

井式坩埚炉 TF-1200℃-CT/Well-type crucible furnace 2020-07-06

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真空井式坩埚炉 TF-1200℃-VF 2020-07-06

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高温井式坩埚炉 TF-1400℃-VF-D 2020-07-06

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氧化锆义齿烧结炉MF-1700DB 2020-07-06

设备特点： 我公司自主研发生产的MF-1700DB氧化锆义齿烧结炉主要应用于：义齿加工行业的氧化锆烧结，也可用于粉末冶金行业的高温材料烧结与退火。该设备底盘可自动升降，..

前开式真空井式坩埚炉TF-1200℃-VF-B 2020-07-06

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真空烧结炉TF-1200℃-VB/Vacuum Sintering furnace 2020-07-06

主要特点Main features: Can sintering under the condition of vacuum . 此款设备可在真空气氛条件下烧结 With quartz chamber and can keep the cleanness。 腔体为石英件，可有效保证烧结条件的洁净度。 Suitabl..

RTP快速升温炉/大口径快速升温炉φ210 2020-07-06

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定制红外烘干炉 RTP-1000℃-5D 2020-07-06

设备结构 1、加热部分采用15根红外灯管进行加热，额定温度1000℃，并使用K型热电偶，模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能; 2、炉门..

快速升温淬火炉 RTP-1200℃-BVT-80 2020-07-06

这是一款立式真空的淬火炉，配有一个密封的储液罐。可以在真空或气氛环境下对各种样件进行淬火，在很大程度上减少了样件的氧化和形变，适用于各种金属样件的淬火。本设备特..

快速升温炉 TF-1200℃-RTP-S90B 2020-07-06

主要特点： 这是一款精巧型快速热处理管式炉,石英管管径为90mm,石英样品舟可直接划出炉腔，样品舟尺寸可根据实验需求定制，进气配有1路浮子，RS485 接口和控制软件可以通..

1200℃ 立式管式炉 TF-1200℃-III-VT 2020-07-06

设备特点 该设备为立式结构，可广泛用于碳纳米线，碳纳米管等材料的制备等工艺要求。该炉具有使用温度高、高精度控温、操作简单、维修方便等点。立式炉分为三段加热，加热..

TF-1200℃-VT-25 2020-07-06

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高温立式炉 2020-07-06

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