流化床—粉体碳纳米管生长设备 2020-07-06

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复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备 2020-07-06

主要特点 复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备，可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和复合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2..

高真空自动循环设备（型号：TF-1200℃-HV） 2020-07-06

主要特点 该款设备由我公司和中国科学院新疆理化技术研究所共同研制的高真空自动循环设备，内外双热电偶控制，内热电偶制动，使用者可以设定设备循环温度点，可根据内热电..

低真空CVD系统 (TF-1500℃-3ZL) 2020-07-06

设备特点 此款CVD系统是由多通道高精度的质量流量计、低真空机组以及1500度高温管式炉组成。其广 泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。 加..

大三温区滑轨CVD系统（低真空、高真空环境均可）TF-1200℃-III-SL-4ZL 2020-07-06

技术参数 SGM TF-1200C-III-SL-4ZL 尺寸 1080×440×590mm ( 电炉)/2000×490×760mm ( 电炉+滑轨） 炉管尺寸 Ø50/Ø60/Ø80/Ø100/Ø130*2330mm(各管径可选）..

双温区磁力拉杆设备（固态源、气态源、多源）TF-1200℃-II-SL 2020-07-06

主要特点 此设备具有两个独立的温场，温场之外配有磁力拉杆和石英料舟，并配有内探热电偶，可实现在实验过程中将固态源(如硫粉、硒粉等)推进热场，并同时可检测温度。 技..

智能型双温区等离子化学气相沉积系统(型号：TF-1200℃-II-AS-500A) 2020-07-06

主要特点： 一、此设备的高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制..

三温区智能型等离子体化学沉积系统（TF-1200℃-III-500A-PECVD） 2020-07-06

此款智能型等离子体增强化学沉积系统的高温真空炉加热腔体采用进口氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于制备大面积高质量低..

连续进出料等离子体增强回转PECVD设备-TF-1200℃-RP-PECVD 2020-07-06

1、主要特点 该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD)，连续可控温度以及Plasma强度等，配备真空系统，可以低压条件下实现工艺，PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产..

PECVD-500A/PECVD-S-150A 等离子辉光滑轨PECVD系统 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。 PECV..

前端预热滑轨PECVD 2020-07-06

管式炉 炉管尺寸：外径φ50 加热元件：电阻丝（Fe-Cr-Alloy doped by Mo） 加热区长度：440mm 恒温区长度：200mm（±1℃） 工作温度：1100℃ 额定温度：1200℃ ..

三独立智能型滑轨PECVD PECVD-III-500A-SSSL 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领..

小三温区等离子体增强化学气相沉积系统 （型号：PECVD-IIIS-500A） 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验和中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领..

双炉滑轨PECVD 2020-07-06

该PECVD(等离子化学气相沉积系统)系统，有多路质量流量计系统(进口流量计)，真空机组(进口真空泵)，PE射频电源(进口射频源)，温控系统等装置构成。使用PE源将气源等离子化..

射频电源150W/300W/500W 2020-07-06

本产品属管式可定制PECVD零部件，可承接现有管式炉PECVD设备。 信号频率 13.56 MHz±0.005% 功率输出范围 0W~500W 蕞大反射功率 100W 射频输出接口 50 Ω, N-type, female 功率稳定度 ≤5W 谐波分量..

大型卷对卷连续石墨烯膜生长设备 2020-07-06

Stock roll Annealing zone Growth zone 主要特点 基于广大科研界对实现大面积单层石墨烯薄膜在工业铜箔基底上卷对卷宏量制备的需求,我公司开发出一种新的卷对卷连..

铜铟镓硒太阳能薄膜电池专用炉 2020-07-06

主要特点 这是一款针对太阳能硒化设计的专用炉，炉体上端腔体可以实现离子增强硒化功能，利用上下腔体内的压差实现硒化气体均匀扩散乘积在基体表面。上腔体温度调节范围50-60..

三温区滑轨式PECVD系统（TF-1200℃-III-SL-PECVD） 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域..

双温区滑轨式PECVD系统PECVD-II-500A 2020-07-06

产品简介：本设备主要针对实验中试石墨烯生长和制备使用，同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域..

双温区PECVD系统 TF-1200℃-II-PECVD/TF-1200℃-II-SL-PECVD 2020-07-06

特点及用途： PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高10 9 -10 12 cm 3 电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄..