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三温区滑轨式快速升降温炉TF-1200℃-III-SL/Three zones sliding rapid heati 2020-07-06
主要特点Main features: 1) Used for big size graphene film growing with...
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1700℃快速取样小型滑轨炉TF-1700℃-SL 2020-07-06
主要特点 此款滑轨式高温管式炉广泛用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较...
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双独立温场滑轨炉 （可选配等离子体发生装置）TF-1200℃-II-SSL 2020-07-06
主要特点 SGM TF-1200C-II-SSL双独立温场滑动炉具有两个独立滑动和温度控制的温场。...
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小型三温区滑轨炉TF-1200℃-III-S-SL 2020-07-06
主要特点 滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的，也同样适用于要求升降温速...
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液氮冷井淬火炉TF-1200℃-SSL 2020-07-06
主要特点 本液氮冷井是一款真空管路冷凝设备，专为冷凝真空系统中难以过虑的有机小分...
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单端滑轨炉 TF-1500℃-RTP 2020-07-06
主要特点 1500℃单端滑轨式快速升降温炉不仅可以抽真空,也可以通气体保护。可用刚玉...
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双温区滑轨炉（TF-1200℃-II-SL） 2020-07-06
主要特点 滑轨式快速升温炉是专为生长石墨烯研制的石墨烯生长专用炉，也同样适用于要...
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TF-1200℃-AS 智能型1200℃滑轨炉 2020-07-06
主要特点 mall in size, lower power consumption 体积小，功耗低 With doub...
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连续进出料回转CVD生长设备 TF-1200℃-II-R-CVD 2020-07-06
1、主要特点 该设备炉管可360°旋转，有助于粉料的烧结更均匀，可大角度倾斜，方便进...
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双炉膛滑动CVD控制系统 TF-1200℃-II-SL-210 2020-07-06
主要特点： 1、滑轨式快速升温炉是专为生长石墨烯研制的石墨烯生长专用炉，也同样适...
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滑轨式CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-SL-CVD） 2020-07-06
设备特点 此款设备是专为生长石墨烯、碳纳米管研制的生长专用炉，也同样适用于要求升...
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1700度高温CVD系统 (高真空 低真空可选） 型号：TF-1700℃-CVD 2020-07-06
设备特点 此款1700℃高温CVD系统，是由1700度管式炉、三路质量流量计系统以及国产高...
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1200℃双温区CVD系统（低真空、高真空）型号：TF-1200℃-II-CVD 2020-07-06
设备特点 此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，...
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迷你型CVD系统（型号：TF-1200℃-S-CVD） 2020-07-06
加热区参数 炉管尺寸：外径Φ25/50*600mm (管径可选) 加热元件:电阻丝（Fe-Cr-Al ...
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进口高真空CVD系统（TF-1700℃-CVD） 2020-07-06
主要特点 炉体采用硅钼棒加热额定温度可至1650℃，高真空系统采用进口分子泵机组，一...
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低真空CVD石墨烯生长系统（型号：TF-1200℃-CVD） 2020-07-06
主要特点 该设备是由1200度开启式管式炉、精密的质量流量控制系和真空系统所组成。广...
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二维材料制备CVD系统（型号：TF-1200℃-II-SL-CVD） 2020-07-06
设备特点 此款CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器，辅助二维材料蒸发，后端为双...
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前端预热式多温区CVD/TF-1200℃-400℃-CVD（前端加固态源） 2020-07-06
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小三温区滑轨CVD/TF-1200℃-III-S-SL-3ZL 2020-07-06
技术参数 SGM TF-1200C-III-S-SL-4ZL 尺寸 750×440×590mm ( 电炉)/2000×490...
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双独立温区滑轨炉CVD设备（可用于生长硫化钼）TF-1200℃-II-SSL-CVD 2020-07-06
主要特点 1.此款设备提供两个独立滑动的温场，两温场独立控制，每个温场的加热区的长...
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